|
具有集成BNI / BNO和大容量电容的反激式多模式PWM控制器。过压保护
为了提高效率性能，LD5523N集成了多模式PWM控制器，该控制器由用于轻负载条件的准谐振（QR）PWM控制和用于重负载条件的持续传导模式（CCM）组成。此外，QR控制器不仅会提高系统性能，而且还会带来更差的EMI性能，而LD5523N的频率交换功能可以减少SMPS的EMI辐射，并有助于电源电路设计人员简单地处理EMI滤波器并节省几个组件。和发展时间。
LD5523N采用SOT-26封装，并具有全面的保护功能，例如过载保护（OLP），过压保护（OVP），输出短路保护（OSCP）和内部过热保护（OTP）。此外，可编程的输入/输出和容量上限。OVP保护是内置的。
特征
-
具有准谐振+ CCM操作的次级侧反馈控制
-
低启动电流（<1μA）
-
轻负载时0.285mA超低工作电流
-
具有逐周期电流限制的电流模式控制
-
绿色模式控制
-
UVLO（欠压锁定）
-
CS引脚上的LEB（前沿消隐）
-
VCC OVP（过压保护）
-
调整 FB引脚上的OVP / UVP
-
调整 BNI / BNO，大容量上限。FB引脚上的OVP
-
OLP（过载保护）
-
CS引脚上的外部OTP（过热保护）
-
内部OTP（过热保护）
-
SDSP（次级二极管短路保护）
-
栅极源极/吸收器能力：220mA / -350mA @输出引脚，带33nF电容器。
应用
|